所谓巨磁阻效应，是指磁性材料的電(diàn)阻率在有(yǒu)外磁场作用(yòng)时较之无外磁场作用(yòng)时存在巨大变化的现象。基于電(diàn)子自旋自由度调控的巨磁阻材料，能(néng)实现信息高密度存储和高速读写，是整个信息产业的核心。随着人们对電(diàn)子器件高集成度和小(xiǎo)型化日益增長(cháng)的需求，在更小(xiǎo)的材料尺度实现磁阻效应成為(wèi)追逐目标。以石墨烯為(wèi)代表的二维纳米材料，具备独特形貌和优异物(wù)性特征，為(wèi)实现纳自旋電(diàn)子器件提供了重要的材料基础。由于绝大多(duō)数二维材料本身特征是非磁的，如何在二维材料中引入磁性，成為(wèi)开发二维自旋電(diàn)子器件的关键。中科(kē)大研究人员提出低价卤族取代硫族元素的阴离子掺杂新(xīn)方法，在克服了阳离子掺杂形成插层化合物(wù)而难以剥离缺点的基础上，在二维纳米材料中成功引入本征自旋和调控能(néng)带结构，实现自旋相关散射電(diàn)子输运，基于此构建了基于二维过渡金属硫属化合物(wù)的巨磁阻器件，该实验结果实现目前二维纳米材料體(tǐ)系最高的负磁電(diàn)阻效应。审稿人认為(wèi)，该工作开创了一个很(hěn)有(yǒu)意义的研究领域，对今后细微電(diàn)阻的研发产生积极地影响。

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